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負溫度系數熱敏電阻及其制造方法

 負特點熱敏電阻31 的反面剖視圖對於本創造的另一施行例停止注明。一種負特點熱敏電阻及其打造辦法,該負特點熱敏電阻是一種將過渡非金屬氧化物作為主因素、並存正在外部柵極的負特點熱敏電阻,正在外部柵極構成資料中含有Cu 或者Cu 的復合物。
4. 如義務請求3 所述的負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:正在上述第5 歲序中,於上述燒制體的兩端部燒制構成以除Cu 之外的非金屬粉末為主因素且含有Cu 或者Cu 的復合物的任一種的內部柵極。
該第2 項創造的負特點熱敏電阻,其特色正在於:存正在將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻基體、構成正在上述熱敏電阻基省外部的外部柵極、和正在上述熱敏電阻基體的兩端部、與上述外部柵極相導通構成的內部柵極,正在將除Cu 之外的非金屬粉末作為主因素的外部柵極用資料及內部柵極用資料中含有Cu 或者Cu 的復合物。
2. 如義務請求l 所述的負特點熱敏電阻,其特色正在於:上述內部柵極將除Cu 之外的非金屬粉末作為主因素、並作為副因素含有Cu 或者Cu 的復合物的任一種。
附圖注明
圖1 是示意本創造的負特點熱敏電阻的剖視圖。這時的爐內氧深淺為20% ,結冰進度以200 0C 地r 從最低溫度結冰到室溫。
該署舊有技能,將引線類型的負特點熱敏電阻作為對於象,但正在將其使用於圖2 所示的片型負特點熱敏電阻1 上時,會發生如次所述的成績佔率先,如特開平4-338801 號公告所述,正在將陶瓷混合組成中含有Cu、並使負特點熱敏電阻基體2 全體中含有Cu 的辦法中,負特點熱敏電阻基體全體變為低電阻率。正在外部柵極中, Cu 也能夠Cu 單質具有、或者許也能夠Cu的氧化物等Cu 的復合物的方式具有。
此外,正在專利第3218906 號中地下了一種、於涂覆正在負特點熱敏電阻基體的端面上的內部柵極用資料中含有Cu,並將柵極中的Cu 因素沒有勻稱地散布正在柵極與基體間的界面處,使其電阻率昇高的負特點熱敏電阻。將其後果示意正在表1 中。
圖4 是示意再一現行的負特點熱敏電阻的剖視圖。
該第5 項創造的負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:正在上述第3 或者第4 項創造的上述第4 歲序中,存正在正在燒制的最低溫度後的結冰進程中,正在800"-' 1000 oc 臨時中止結冰、並以800--- 1000 oc 的感溫維持60---600 秒鍾後、再開端結冰的歲序。
其次,正在恣意的陶瓷生片上印刷相等於外部柵極33 的外部柵極用資料的導熱糊並停止枯燥。同聲,導熱糊是混合由63wt%的Ag 、27wt% 的Pd、及10wt% 的Cu 組成的非金屬粉末、並增添無機溶劑攪和失去的精神,最適宜運用。
圖2 是示意現行的負特點熱敏電阻的剖視圖。涂覆成上層為Ni 、下層為Sn 的鍍膜。
接著,正在燒結體的兩端部涂上內部柵極糊,燒制構成內部柵極。
正在上述本創造中,經過正在外部柵極構成資料中含有Cu 或者Cu 的復合物,而正在燒制時可使Cu 從外部柵極向熱敏電阻基體的除外名義左近外的簡直全體停止分散,可以完成負特點熱敏電阻的進一步低電阻化。
關於該負特點熱敏電阻,將測試外部柵極中的Cu 深淺、電阻值、電阻值誤差、B 常數、B 常數誤差、及電阻值變遷的後果示意正在表1 中。

1.一種負特點熱敏電阻,
存正在將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻基體、構成正在上述熱敏電阻基省外部的外部柵極、和正在上述熱敏電阻基體的兩端部與上述外部柵極相導通構成的內部柵極,其特色正在於:上述外部柵極將除Cu 之外的非金屬粉末作為主因素、並作為副因素含有Cu 或者Cu 的復合物的任一種。作為比擬例,制造相等於現行例的圖3 的沒有外部柵極的負特點熱敏電阻11 ,與施行例1 、2 相反,測試電阻值、電阻值誤差、B 常數、B常數誤差、及電阻值變遷。從而,若正在構成於片狀的負特點熱敏電阻基體的兩端部的內部柵極3 上由鍍銀構成鍍膜,則發生正在負特點熱敏電阻基體2 名義也構成鍍膜的成績。以次,參照附圖對於本創造的一施行例停止注明。最好正在外部柵極構成資料及內部柵極構成資料中含有Cu 或者Cu 的復合物。況且該負特點
熱敏電阻的打造辦法與現行相比可正在大范疇內停止電阻值的調動和B 常數的調動。
背景技能
正在用來感溫傳感器或者感溫彌補的負特點熱敏電阻上謀求低電阻化。

該第1 項創造的負特點熱敏電阻,其特色正在於:存正在將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻基體、構成正在上述熱敏電阻基省外部的外部柵極、和正在上述熱敏電阻基體的兩端部、與上述外部柵極相導通構成的內部柵極,正在將除Cu 之外的非金屬粉末作為主因素的外部柵極用資料中,含有Cu 或者Cu 的復合物。


此外,外部柵極構成資料最好將除Cu 之外的Ag 、Pd、Pt 中的至多一種作為主因素。
該第4 項創造的負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:是一種囊括:預備將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻用陶瓷生片的第1歲序、正在上述陶瓷生片上涂上以除Cu 之外的非金屬粉末為主因素且含有Cu或者Cu 的復合物的外部柵極用導熱糊而構成外部柵極層的第2 歲序、恣意材積層上述第1 歲序或者第2 歲序的生片並構成存正在對於向的立體的層壓體的第3 歲序、燒制上述層壓體而構成燒制體的第4 歲序、和正在上述燒制體的兩端部燒制構成以除Cu 之外的非金屬粉末為主因素且含有Cu 或者Cu
25 的復合物的內部柵極的第5 歲序的負特點熱敏電阻的打造辦法,正在上述第4 歲序中,存正在以最低溫度1000- 1350 oc 、且正在氧比重為20"-'80% 的條件中燒制上述層壓體,況且正在燒制的最低溫度後的結冰進程中,將結冰進度設為100"-'300 0C/時辰的歲序。正在該負特點熱敏電阻基體(燒結體〉的兩端部涂上由80wt% 的Ag 、10wt% 的Pd、及10wt% 的Cu 組成的內部柵極糊,並以與施行例1 的負特點熱敏電阻的打造辦法相反的環境停止
燒構造成內部柵極。
圖1 是示意本創造的負特點熱敏電阻31 的剖視圖。從而,熱敏電阻基體32 的外部的電阻率變得比熱敏電阻基體32 的外名義左近低。況且, Cu 的含有率最好為4- 16% 。
關於該負特點熱敏電阻,將測試外部柵極中的Cu 深淺、電阻值、電阻值誤差、B 常數、B 常數誤差、及電阻值變遷的後果示意正在表l 中。這是由於負特點熱敏電阻基體12 名義接近內部柵極13 的全體(全體a) 變化鍍膜成長核心的來由。
5. 如義務請求3 或者4 所述的負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:正在上述第4 歲序中,存正在正在燒制的最低溫度後的結冰進程中,正在於800~1000C 臨時中止結冰並以800-1000 oc 的感溫維持60~600 秒鍾後、再開端結冰的歲序。
此外,如專利第3218906 號所述,以正在柵極構成資料中含有Cu、並使Cu 從柵極向負特點熱敏電阻基體12 停止分散的辦法,如圖3 所示的負特點熱敏電阻11 這樣,片狀的負特點熱敏電阻基體12 的與內部柵極13相鄰接的全體(全體A) 比其餘的全體電阻率低。這種
存正在外部柵極的負特點熱敏電阻,可完成更低電阻化、且可預防鍍銀時的鍍膜成長。
該第3 項創造的負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:是一種囊括:預備將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻用陶瓷生片Cceramic10 green sheet) 的第1 歲序、正在上述陶瓷生片上涂上以除Cu 之外的非金屬粉末為主因素且含有Cu 或者Cu 的復合物的外部柵極用導熱糊而構成外部柵極層的第2 歲序、恣意材積層上述第1 歲序或者第2 歲序的生片並構成存正在對於向的立體的層壓體的第3 歲序、燒制上述層壓體而構成燒制體的第4歲序、和正在上述燒制體的兩端部燒制構成內部柵極的第5 歲序的負特點熱敏電阻的打造辦法,正在上述第4 歲序中,存正在以最低溫度1000"-'1350℃、且正在氧比重為20"-'80%的條件中燒制上述層壓體況且正在燒制的最低溫度後的結冰進程中,將結冰進度設為100"-'300 0C /時辰的歲序。於是,內部柵極糊中的cu 增添量為10wt% 。
(比擬例。並且,經過掌握燒制時的感溫直線、爐內氧深淺、及結冰環境,而對於分散至上述熱敏柵極基體的上述外部柵極左近的Cu 的量停止調理。此外,其含有率最好為80--- 100% 。
正在此,熱敏電阻基體將過渡非金屬氧化物作為主因素,但相似最好將Mn , Ni 、Co 、Fe 中至多一種作為主因素。這時的爐內氧深淺為20% 。此外,含有率最好為84"-'96% 。
創造形式
本創造的手段是需要一種可完成更低電阻化、且可預防鍍銀時的鍍膜成長的、存正在外部柵極的負特點熱敏電阻及其打造辦法。詳細施行形式(施行例。
進一步,對於存正在變化外部柵極33 的柵極圖形的陶瓷生片、和沒有印刷導熱糊的陶瓷生片停止層壓壓接後,切斷變化規則的裂片分寸,失去未燒制的負特點熱敏電阻基體(未燒制層壓體)。即,如圖4 所示的負特點熱敏電阻21 這樣,是一種正在片狀的負特點熱敏電阻基體22 的外部、以與構成於負特點熱敏電阻基體22 的兩端部的內部柵極23 相導通的形式構成外部柵極24 的辦法。況且, Cu 的含有率最好為4"-'16% 。
正在用來外部柵極33 的外部柵極用資料中含有Cu ,該Cu 分散正在外部柵極33 左近。
進一步,因為調理燒制時的感溫直線或者爐內氧深淺,掌握Cu 分散量,故即便組成定然,也可停止大范疇的電阻值調動和B 常數調動。
該負特點熱敏電阻,經過施行例1 的負特點熱敏電阻的打造辦法制造負特點熱敏電阻基體(燒結體)。
相似,正在特開平4-328801 號公告中地下了一種於向由含有燦、Co 、Ni等的尖晶石類非金屬氧化物燒結身段成的負特點熱敏電阻基體中增添Cu ,使其電阻率昇高的負特點熱敏電阻。
率先,正在由80wt%的陽1304 及20wt% 的NiO 形成的熱敏電阻資料中增添無機黏合劑、疏散體、消泡劑、水,制造多個薄厚為40μm 的陶瓷生片。
此外,內部柵極構成資料最好將除Cu 之外的Ag 、Pd、Pt 中的至多一種作為主因素。
圖中: 31 一負特點熱敏電阻, 32 一熱敏電阻基體, 33 一外部柵極, 34一內部柵極。
施行例2 的負特點熱敏電阻、正在外部柵極33 用資料及內部柵極34用資料中含有Cu ,並將Cu 分散至負特點熱敏電阻基體32 的外部柵極33的左近,使負特點熱敏電阻基體32 外部的電阻率低於負特點熱敏電阻基體32 的外名義左近的電阻率。正在內部柵極中, Cu 也能夠Cu 單質具有、或者許也能夠Cu的氧化物等Cu 的復合物的方式具有。此外,含有率最好為84"-'96% 。
此外,熱敏電阻基體的外名義左近,因為沒有分散Cu 很難低電阻化,故可抑止向熱敏電阻基體名義構成鍍膜。於是,內部柵極糊中的Cu 增添量為10wt% 。
10 以最低溫度1200 0C 燒制該未燒制層壓體,失去負特點熱敏電阻基體(燒結體〉。
(比擬例2)
作為另一比擬例,制造相等於現行例的圖4 的僅正在內部柵極中增添Cu 的負特點熱敏電阻21 ,與施行例1 、2 相反,將測試外部柵極中的Cu深淺、電阻值、電阻值誤差、B 常數、B 常數誤差、及電阻值變遷的後果示意正在表1 中。
圖3 是示意另一現行的負特點熱敏電阻的剖視圖。從而,正在負特點熱敏電阻基體12 的兩端部涂上含有Cu 的柵極構成資料,將其燒結而構成內部柵極13 ,況且正在其上若由鍍銀構成鍍膜、則發生正在負特點熱敏電阻基體12 名義構成鍍膜的成績。
3. 一種負特點熱敏電阻的打造辦法,其特色正在於:囊括預備將過渡非金屬氧化物作為主因素的熱敏電阻基體用陶瓷生片的第1歲序、正在上述陶瓷生片上涂覆以除cu 之外的非金屬粉末為主因素且含有Cu
或者Cu 的復合物的任一種的外部柵極用導熱糊、構成外部柵極層的第2 歲序、恣意材積層上述第1 歲序或者第2 歲序的生片並構成存正在對於向的立體的層壓體的第3 歲序、燒制上述層壓體而構成燒制體的第4 歲序、和正在上述燒制體的兩端部燒制構成內部柵極的第5 歲序,正在上述第4 歲序中,存正在以最低溫度為1000---- 1350 oc 、且正在氧比重為20----80%的條件中燒制上述層壓體,況且正在燒制的最低溫度後的結冰進程中,將結冰進度設為100----300 0C/時辰的歲序。
然而,即便正在負特點熱敏電阻21 的內部柵極23 的構成資料中含有Cu ,經過外部柵極24 使Cu 分散到負特點熱敏電阻基體22 外部,但其分散量對於掌握電阻值沒有充足,沒有能充足地完成負特點熱敏電阻21 的低電阻化。負特點熱敏電阻及其打造辦法
技能畛域
本創造觸及一種負特點熱敏電阻,特別觸及存正在外部柵極的層壓型的負特點熱敏電阻及其打造辦法。
負特點熱敏電阻31 存正在負特點熱敏電阻基體32 、構成正在負特點熱敏電阻基體32 外部的外部柵極33 、和正在負特點熱敏電阻基體32 的兩端面、以與外部柵極33 相導通的形式構成的內部柵極34 。況且,正在其上施以鍍銀,涂覆成上層為Ni、下層為Sn 的鍍膜。
該負特點熱敏電阻31 經過以次的打造辦法停止制造。內部柵極由90wt%的Ag、及10wt%的Pd 組成、並以850 0C 停止燒制。
於是,含正在內部柵極34 用資料中的Cu,正在燒制內部柵極34 時、經過外部柵極33 分散到負特點熱敏電阻基體32 的外部柵極33 左近。
作為用來處理上述的現行技能的成績點的辦法,思忖了以次的辦法。


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