一種SMD熱敏電阻器的制造方法
選用氟棚酸鹽型，負極直流電密度為8A1dm2 ，攪和形式采納泵重復，鍍銀感溫25
.C ， 鍍銀工夫為90秒鍾，鍍層薄厚20μm 。這種芯片的制造辦法正在中國專利
請求98122016.9 、99124219.x 、00119519.0 中表現。
2. 依據義務請求l 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
經過數控刨床或者數控壓力機正在芯片上鑽孔或者沖孔，孔徑為O.2mm~2.0 mmo
3. 依據義務請求l 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
經過間接鍍銀銅工藝，對於芯片名義及孔停止鍍銀銅，使芯片的上鍍鎮銅宿與下鍍
鎮銅循經過孔正在直流電上導通:鍍銅液囊括多品種型，能夠是氨化物型、焦鹽酸鹽
型、氟棚酸鹽型、擰攘酸鹽型、硫酸鹽型:攪和形式可采納陸續過濾、氣氛攪和
或者負極挪動;負極直流電密度為1~lONdm2，鍍銀感溫lO'C ~60'C ， 鍍銀工夫為
5~200秒鍾，鍍銅薄厚lO~lOOμmo
4. 依據義務請求1 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在子，
經過篆刻工藝，正在芯片銅福的近孔端篆刻掉一幅度為O.lmm~l.Omm的非金屬銅宿:
篆刻前用鍍銀錫或者錫/鉛合金掩護非篆刻區，用來掩護的鍍銀錫鉛含金的鍍液次要
囊括氟棚酸鹽型和無氟的;院基磺酸鹽型，用來掩護的鍍銀純錫的鍍液選用硫酸鹽
型:負極直流電密度為O.05~lOA/dm2 ，攪和形式采納陸續過濾、負極挪動或者泵循
環，鍍銀感溫15~50'C ，鍍銀工夫為2~lOO秒鍾，鍍層薄厚2~40μm; 篆刻槽可
選用多種方式，囊括曲線形圖、鈍角形圖、困弧形圖、曲線圓弧形圖、折條形;
篆刻完後，采納化學法或者電解法退除錫鉛或者錫掩護層，化學法退鍍液囊括氟利昂
肢型、氟棚酸型、王水型，退除辦法可選用浸除法或者程度式噴淋的機器法。
一種名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法
本創造觸及以導熱高成員集合物化合資料為次要原料藥的電子元機件的制
造，特別觸及→種名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法。H2S04深淺200g/l， H202 00%)
深淺45ml/l，穩固劑n-C8HI7NH2增添量lml/l， 40"C 下微篆刻掉3μm銅層，而後
鍍銀鍍銅，鍍銅液選用硫酸鹽型:負極直流電密度為2A/dm2; 采納陸續過濾攪和;
感溫為40 0C; 鍍銀工夫80秒鍾:鍍銅薄厚15μm; 如圖6 的9 、10 、11 、12 。
正在芯片的高低鍍鐮銅宿及篆刻槽上印刷上一層阻焊膜，阻焊膜為液態光成像
阻焊油墨，次要因素為感光功能的環氧樹脂或者丙烯酸樹脂，囊括酣醒環氧樹脂、
甲酌環氧樹脂、膽固醇甲酸乙醋:而後通過對於位暴光使下面阻焊區與上面阻焊區的
油墨暴光、集合，未暴光的餘油墨經過沖洗去墨1 造影劑采納O .l %~10%的碳酸
鈾或者碳酸伺濾液，沖洗工夫為10'C ~80oC ，沖洗噴淋壓力為0.5~ lOkg/cm2; 最初
經過正在100~2000C 烤箱中烘20~200秒鍾使阻焊膜徹底軟化交聯。
圖13 為鍍銀錫或者錫鉛合金工藝。鍍液選用硫酸鹽型:負極直流電密度為1 A1dm2; 攪和形式采納負極挪動;鍍銀
感溫30 鍍銀工夫為20秒鍾。鍍液
鍍銀感溫
40 0C ，鍍銀工夫為3 秒鍾，鍍層薄厚3μm 。用來鍍銀錫鉛合金的鍍液，要有很好
的疏散威力和深鍍威力，且工藝穩固、便於保護，次要有氟棚酸鹽型和無氟的;皖
負極直流電密度為0.05~
10Aldm2; 攪和形式采納陸續過濾、負極挪動或者泵重復等;鍍銀感溫15~500C ;
鍍銀工夫為2~100 秒鍾:鍍層薄厚2~40μm 。而後正在面17上印刷字符。
8. 依據義務請求l 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
將釀成的芯片停止機器切削或者激光切削，分紅所需外形的名義貼裝用熱敏電阻
一2 一
器。
正常地，正在填充導熱粒子的結晶或者半結晶高成員化合資料中可體現出正溫
度系數PTC (p ositive temperature coefficient)景象。篆刻槽可選用上述
方式。導熱粒子囊括
炭黑、石墨、碳纖維、非金屬粉末(如銀粉、銅粉、鋁粉、鎮粉、沒有鏽鋼粉等)、
非金屬氧化物和名義鍍非金屬的玻璃微珠等。
經過鍍銀錫工藝，使未遮蓋阻焊膜的全體及孔名義處鍍銀上純錫或者錫/鉛合
金;用來鍍銀錫鉛合金的鍍液次要囊括氟棚酸鹽型和無氟的;皖基磺酸鹽型:用來
鍍銀純錫的鍍液選用硫酸鹽型:負極直流電密度為0.05~10Aldm2; 攪和形式采納連
續過濾、負極挪動或者泵重復等:鍍銀感溫15~500C ;鍍銀工夫為2~100秒鍾:鍍
層薄厚2~40μmo
正在芯片的下端面阻焊油墨上印刷字符。
正在以電腦及其外設、通信設施、數量照相機為專人的電子技能飛速停滯的背
景下，電子部件拆卸技能工藝也一直復舊換代。篆刻槽可選用多種方式，如曲線形圖9 、鈍角形圖7 、
圓弧形圖10 、曲線圓弧形圖11 、折條形等。篆刻完後，采納化學法或者電解法退除
錫鉛(或者錫)掩護層。
1.一種名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，囊括先預制一塊由高成員芯材
與鍍錦銅宿化合而成的大芯片，其特色正在於，將化合好的芯片鑽孔或者沖孔、整板
及孔鍍銀銅，再以鍍銀錫或者錫/鉛合金作為抗篆刻層掩護下正在近孔端篆刻掉→條銅
福，以構成兩個柵極，而後高低兩面印刷阻焊膜，再正在非阻焊膜海域鍍銀上一層
錫或者錫/鉛合金，印刷字符後切削即可失去所需的名義貼裝用熱敏電阻器。
圖6標明對於芯全面及孔停止間接鍍銀銅9 、10 、11 、12. 以使芯片的上鍍鎮銅
宿4 、5 與下鍍鎮銅?自6 、7經過孔8正在直流電上導迪。鍍液選用硫酸鹽型: 負極直流電密度為0.lA/dm2; 攪和形式采納負極挪動: 電
鍍感溫20 0C; 鍍銀工夫為10秒鍾;鍍層薄厚7μm 。
熱敏電阻器己寬泛地使用到通訊、電腦、公共汽車、輕工業掌握、電子等泛濫領
域中。
進一步采納以次技能計劃，能夠使本創造發生更佳成效:
經過數控刨床或者數控壓力機正在芯片上鑽孔或者沖孔，孔徑為0.2mm~2.0 mmo
經過間接鍍銀銅工藝，對於芯片名義及孔停止鍍銀銅，使芯片的上鍍鎮銅福與
下鍍錦銅惰經過孔正在直流電上導通:鍍銅液囊括多品種型，能夠是氧化物型、焦磷
酸鹽型、氟棚酸鹽型、擰攘酸鹽型、硫酸鹽型:攪和形式可采納陸續過濾、氣氛
鍍銀工夫
為5~200秒鍾，鍍銅薄厚10~ 100μmo
經過篆刻工藝，正在芯片銅錨的近孔端篆刻掉→幅度為O.lmm~ 1. 0mm的非金屬
攪和或者負極挪動:負極直流電密度為1 ~10A/dm2 ， 鍍銀感溫100C~600C ,
銅倍:篆刻前用鍍銀錫或者錫/鉛合金掩護非篆刻區，用來掩護的鍍銀錫鉛合金的鍍
液次要囊括氟棚酸鹽型和無氟的;皖基磺酸鹽型，用來掩護的鍍銀純錫的鍍液選用
硫酸鹽型:負極直流電密度為0.05~10A/d血2 ，攪和形式采納陸續過濾、負極挪動或者
泵重復，鍍銀感溫15~500C ，鍍銀工夫為2~100秒鍾，鍍層薄厚2~40μm; 篆刻
槽可選用多種方式，囊括曲線形圖、鈍角形圖、圓弧形圖、曲線圓弧形圖、折線
形:篆刻完後，采納化學法或者電解法退除錫鉛或者錫掩護層，化學法退鍍液囊括氟
化氫膠型、氟棚酸型、王水型，退除辦法可選用浸除法或者程度式噴淋的機器法。孔能夠鑽正在切削線上如圖4 。
其它工藝同施行例1-3 。
圖12示意正在芯片的高低鍍鎮銅宿及篆刻槽15上印刷上一層阻焊膜16 、17 ，阻
焊膜為液態光成像阻焊油墨，次要因素為感光功能的環氧樹脂或者丙烯酸樹脂，
如:酣醒環氧樹脂、甲酌環氧樹脂、膽固醇甲酸乙醋等。而後正在面17 上印刷宇
符。眼前使用較多的為插件式熱敏電阻器，即由芯、材和貼覆於芯材兩面的鍍鎮
銅箱、鉚接正在該鍍鎮銅?自外名義上的片狀或者引線狀引來柵極以及包覆正在外名義的
涂層形成。與
舊有技能相比，本創造貨物遮蓋面積及佔用時間小，並
且到達了部件名義貼裝上線拆卸工藝的請求。
6. 依據義務請求l 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
經過鍍銀錫工藝，使未遮蓋阻焊膜的全體及孔名義處鍍銀上純錫或者錫/鉛合金:用
於鍍銀錫/鉛合金的鍍液次要囊括氟棚酸鹽型和無氟的炕基磺酸鹽型:用來鍍銀純
錫的鍍液選用硫酸鹽型:負極直流電密度為O.05~10A/dm2; 攪和形式采納陸續過
濾、負極挪動或者泵重復等:鍍銀感溫15~50.C ;鍍銀工夫為2~lOO秒鍾:鍍層厚
度2~40μn10
7. 依據義務請求l 所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
正在芯片的下端面阻焊油墨上印刷字符。正在停止篆刻事先，率先要對於篆刻槽15之外
的全體采納鍍銀錫鉛合金或者鍍銀純錫掩護。經過鍍銀錫或者錫鉛合金，使未
遮蓋阻焊膜的全體18 、19 、20 、20 、22及孔名義23 處鍍銀上純錫或者錫鉛合金，然
後正在芯片的下端面阻焊油墨17上印刷字符。隨著該署設施中通路板分寸的急
驟減少，對於通路板上的元機件的分寸和裝置形式提出了新的請求，而保守的插件
式熱敏電阻器遮蓋面積大、裝置所佔用的時間大，己沒有能徹底滿意該署請求。化學法退鍍液有氟利昂肢型、氟棚酸型、王水型等:退除
辦法可選用浸除法或者程度式噴淋的機器法。而後用酸性氯化銅篆刻液篆刻去一條
幅度為O.lmm的銅宿15 ，再用浸除的辦法采納王水型退鍍錫液追除鍍錫掩護層。將上述釀成的芯片沿著虛線停止機器
切削或者激光切削，分紅所需的名義貼裝用熱敏電阻。而當毛病掃除後，熱敏電阻器的感溫降落，其
電阻值又可復原到低阻值形態。存正在PTC特點的這類導熱體己釀成熱敏電阻器，使用於電
路的過流掩護安裝。鍍銅液有多品種型，如硫化物
型、焦鹽酸鹽型、氟棚酸鹽型、擰攘酸鹽型、硫酸鹽型等;攪和形式可采納陸續
過濾、氣氛攪和或者負極挪動等;負極直流電密度為1~10Aldm2; 鍍銀感溫100C~60
OC; 鍍銀工夫為5~200秒鍾:鍍銅薄厚1O~100μm 。
圖3 、5 為芯片經過數控刨床或者數控壓力機正在每個虛線海域的近一方面端5 、7上形
成孔8 ，孔徑為0.2mm~2.0 mm 。而後用酸性氯化銅篆刻液篆刻去一條
幅度為1.0mm 的銅宿15 ，再用程度式噴淋機器法采納王水型退鍍錫液退除鍍錫保
護層。蕩滌後正在140 0C 的烤箱中烘
40秒鍾即可實現固化。
為了進步孔壁、銅宿名義與鍍銀銅之間的聯合力，應用H2S041H202微篆刻
濾液去除銅循名義的氧化層、血污、指印等。
本創造的手段能夠經過來以次技能計劃來完成種名義貼裝用熱敏電阻器
的打造辦法，囊括先預制一塊由高成員芯材與鍍鎮銅倍化合而成的大芯片，其特
點是，將化合好的芯片鑽孔或者沖孔4 整板及孔鍍銀銅，再以鍍銀錫或者錫/鉛合金作
為抗篆刻層掩護下正在近孔端篆刻掉一條銅錨， 以構成兩個柵極，而後高低兩面印
刷阻焊膜，再正在非阻焊膜海域鍍銀上一層錫或者錫/鉛合金，印刷字符後切削即可得
到所需的名義貼裝用熱敏電阻器。用來鍍銀錫鉛合金的鍍液，次要有氟棚酸鹽
型和無氟的;皖基磺酸鹽型:用來鍍銀純錫的鍍液選用硫酸鹽型:負極直流電密度為
0.05~ lOA/dm2; 攪和形式采納陸續過濾、負極挪動或者泵重復等;鍍銀感溫15~50
"C; 鍍銀工夫為2~100秒鍾:鍍層薄厚2~40μm 。
其它工藝辨別同施行例1-3 。
其它工藝同施行例1-90
施行例20 一29
正在未遮蓋有阻焊膜的全體18 、19 、20 、21 、22 、23上鍍銀一層15μmJ享錫鉛
合金。鍍液選用氟棚酸鹽型，負極直流電密度為8A1dm2，攪和形式采納泵重復， 電
鍍感溫25.C ，鍍銀工夫為90秒鍾，鍍層薄厚2011 m 。
施行例7-9
正在篆刻掉篆刻槽15事先，先采納圖形鍍銀上-層錫鉛合金錫停止掩護。撮要
本創造觸及一種名義貼裝用熱敏電阻器的打造方
法，它先將化合好的芯片鑽孔或者沖孔，整板及孔鍍鋼，再
正在近孔端篆刻掉一條銅箱，以構成兩個柵極，而後高低
兩面印刷阻焊膜，再正在非阻焊膜海域鍍銀上一層錫，印刷
字符後切削即可失去所需的名義貼裝用熱敏電阻。
當采納圖4鑽孔時，高低兩面辨別正在近孔的一側篆刻槽。
施行例2
將鍍銀銅的工藝改為鍍銅液選用氟棚酸鹽型，負極直流電密度為4A/dm2 ，采納
氣氛攪和，感溫為20 鍍銀工夫30秒鍾，鍍銅薄厚25μm。而後正在面17上印刷字符。
正在篆刻掉篆刻槽15事先，率先對於其他全體停止掩護，采納圖形鍍銀上一層純
錫。
施行例10 一19
正在未遮蓋有阻焊膜的全體18 、19 、20 、21 、22 、23 上鍍銀一層15μm厚，錫
鉛合金。銅
宿9共同構成→個柵極，銅銷14 、10經過孔8 的鍍銅層13 與F鍍鎮銅宿6 、7上的鍍
銅層11 、12構成一度柵極。也就是說，正在定然的感溫范疇
內，本身的電阻率會隨感溫的降低而增大。芯片中的芯材3 由高成員集合物、導熱骨料、有機骨料以及加工助劑混合而
成，而後正在芯材高低兩面化合上鍍鑲銅宿1 、2 。正在一般形態下，通路中的直流電絕對於較小，熱敏電阻器感溫較
低，而當由通路毛病惹起的大直流電經過此自復性安全絲時，其感溫會驟然降低到
"關斷"感溫，招致其電阻值變得很大，那樣就使通路在於一種相近"開路"狀
態，從而掩護了通路中其餘部件。而後篆刻掉一幅度為O.lmm~
基磺酸鹽型:用來鍍銀純錫的鍍液選用硫酸鹽型:
1. 0mm的非金屬銅宿15 ，從而使上鍍鎮銅街5 分紅兩片沒有導通的銅錨9與銅宿14 。
與舊有技能相比，本創造沒有采納保守的引來柵極形式，貨物構造松散，遮蓋
面積及佔用時間小，到達了部件名義貼裝上線拆卸工藝的請求，完成了與以後高
密度、集成化通路板拆卸技能相接軌。
施行例1
將化合好的芯片(長400mm、寬200mm ，厚0.5mm) 用CNC數控刨床或者數控
壓力機按圖3 的陳列鑽直徑0.30mm的孔:先用去植株機去植株，後用低壓濕噴砂去
除孔內鑽污。該署結晶或者半結晶集合物囊括聚乙
烯、聚丙烯、聚偏偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯等，以及它們的共聚物。
施行例4-6
正在篆刻掉篆刻槽15事先，先采納圖形鍍銀上一層錫鉛含金錫停止掩護。
本創造的手段就是為了克制上述舊有技能具有的缺點而需要一種遮蓋面積
小、裝置所佔用的時間小的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法。
將釀成的芯片停止機器切削或者激光切削，分紅所需外形的名義貼裝用熱敏電
阻器，所需外形可為長方形、正方形、圓形、口形等。其它工藝同施行例0C ，
施行例3
將鍍銀銅的工藝改為鍍銅液選用氟棚酸鹽型，負極直流電密度為8A1dm2 ， 采納
負極挪動攪和，感溫為50 0C ，鍍銀工夫100秒鍾，鍍銅薄厚5μm 。鍍液選用;皖基磺酸鹽型，負極直流電密度為4A!dm2 ，攪和形式采納陸續過
濾，鍍銀感溫40.C ，鍍銀工夫為3 秒鍾，鍍層薄厚3μm 。而後用酸性氧化銅篆刻液篆刻
去→條幅度為0.3mm的銅錨15 ，再用漫除的辦法采納王水型退鍍錫液退除鍍錫保
護層。
正在未遮蓋有阻焊膜的全體18 、19 、20 、21 、22 、23 上鍍銀一層15μm厚的純
錫。
-6
其它工藝同施行例1-90
。
圖7 、8示意對於芯片停止篆刻工藝。率先將上述阻焊油墨經過
網版印刷至芯片的上、下兩面，而後通過對於位暴光使下面阻焊區16與上面阻焊區
17 的油墨暴光、集合，未暴光的餘油墨經過沖洗去墨。
蕩滌、烘乾後的上述芯片用絲網印刷一層膽固醇甲酸乙醋樹脂液態光成像阻焊
油墨:光引發劑采納服類無機非金屬復合物;硅石粉作為填充劑:酸因為為軟化劑，
經過雙面暴光使下面16 與F面17處的阻焊油墨暴光油墨，未暴光的油墨正在1% 的碳
酸納、30 0C 、噴淋壓力2.5kg/cm2 的環境下沖洗去膜。
5. 依據義務請求1所述的名義貼裝用熱敏電阻器的打造辦法，其特色正在於，
正在芯片的高低懾鎮銅宿及篆刻槽上印刷上一層阻焊膜，阻焊膜為液態光成像阻焊
油墨，次要因素為感光功能的環氧樹脂或者丙烯酸樹脂，囊括酣醒環氧樹脂、甲酌
環氧樹脂、膽固醇甲酸乙醋;而後通過對於位暴光使下面阻焊區與上面阻焊區的油墨
暴光、集合，未暴光的餘油墨經過沖洗去墨:造影劑采納O.1%~10% 的碳酸鈾或者
碳酸餌濾液，沖洗工夫為10.C~80.C ，沖洗噴淋壓力為O.5~ lOkg/cm2; 最初經過
正在100~200.C 烤箱中烘20~200秒鍾使阻焊膜徹底軟化交聯。其它工藝同實
施例1 。
本創造的詳細構造及打造辦法經過以次附圖及施行例進一步給出:
圖l 、2示意化合好的芯片正在前面各歲序實現後按圖中虛線切削成各名義貼裝
用熱敏電阻器能夠經過切削做出各族方式，如長方形、正方形、圓形、口形
等。0C;
實現後的芯片沿著圖l 所示的虛線用機器切削即可失去名義貼裝用熱敏電阻
器。正在較低的感溫時，這類超導體出現較低的
電阻率，而當感溫降低到其高成員集合物熔點之上，也就是叫做的"關斷"感溫
時，電阻率急驟降低。造影劑采納0.1%~10% 的
碳酸鈾或者碳酸餌榕液，沖洗工夫為1O "C~80"C ，沖洗噴淋壓力為0.5~ 10kg/cm2o
最初經過正在100~200"C 烤箱中烘20~200秒鍾使阻焊膜徹底軟化交聯。
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